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Zufallsgenerator G1 mit Rauschdiode
BArch*726, *727, *731
Der hier dargestellte Zufallsgenerator, realisiert mit dem
IC G1, wurde in der T-314.X SAMBO, T-316 GO und der T-325
POLLUX eingesetzt. In den Abbildungen ist G1 bezeichnet mit

     eaw 45.2
         W3

Die Rauschdiode 2Г401A, ist in den Abbildung erkennbar an
der silberfarbenen Lackierung, bei dem die Kathode mit
einen roten Ringe versehen ist.

Dem polnischen Chiffrierbüro des MdI sollte diese Baugruppe
als Lizenzprodukt verkauft werden.

Auszug aus den o. g. Unterlagen.

In den Netzteilen für die M-125 3MRx wurden die Spannungen
mittels der Rauschdiode 2Г401A verrauscht.

3. ZG

Der Zufallsgenerator wird mit dem Hybridschaltkreis G1 reali-
siert. Die notwendigen Versorgungsspannungen werden über LC-
Siebglieder dicht am IC zusätzlich gefiltert, die Spannung 5N
wird aus der Spannung 15N über eine Z-Diode gewonnen. Rausch-
pegel und interne Taktfrequenz des G1 werden durch Einstell-
regler festgelegt (UR-EFF = 0,5 V), fT. = 2,5 MHz).

Als primäre Rauschquelle ist die in Sperrichtung betriebene
Diode 2Г401A eingesetzt. Die Erzeugung eines Zufallsbits
wird durch die Taktflanke des Signals TAKT-ZF eingeleitet.
Am ZF-Ausgang wird zu diesem Zeitpunkt das zuletzt erzeugte
Bit bereitgestellt.

// Technische Parameter Diode 2Г401A
Siliziumdiode, planar
Konzipiert für Rauschgeneratoren.
2Г401A = KГ401A f = 20 Hz … 2,5 MHz
2Г401Б, KГ401Б von 20 Hz bis 3,5 MHz;
2Г401B, KГ401B von 20 Hz bis 1 MHz.
Kennzeichnung - Aufdruck auf der Diode A
Kennzeichnung der Kathode: farbiger Ring.
Norm: TT3.369.008 TU

Abbildungen:
Stromlaufplan, Auszug aus VVS B 434-091/88 bzw. VVS B 434-124/88
Rausch
Rauschgenerator G1 mit Rauschdiode in der T-314.X
Rausch
Rauschgenerator G1 mit Rauschdiode in der T-316
Rausch
Rauschgenerator G1 mit Rauschdiode in der T-325
Rausch
Rauschgenerator im Netzteil für die M-125 3MRx
Rausch